MIW5132攝像頭燈防爆燈(1)芯片選擇必須首先使用高流明的、低功耗大功率芯片。目前,成熟的IW、 3W芯片;其次,采用共品工藝可以很好地完成導(dǎo)熱。
(2)熱傳導(dǎo)的設(shè)計至關(guān)重要。 LED芯崩品度的要求是:85°C以下為正常狀態(tài),可以保證5萬小時以上壽命, 85°C—120°C為異常狀態(tài),會影響壽命,120°C以上為危險狀態(tài),會嚴(yán)損壞LEDO所以必須對LED燈具進(jìn)行整體專業(yè)導(dǎo)熱設(shè)計,以滿足LED芯片工作溫度要求。
( 3 )配光設(shè)計對照明性能影響巨大LED是一種指向性較強(qiáng)光源,必須進(jìn)行專業(yè)光學(xué)配光設(shè)計,才可以達(dá)到工亞現(xiàn)場照明標(biāo)準(zhǔn)及要求。
MIW5132攝像頭燈防爆燈如果芯片直接與空氣接觸,芯片發(fā)出的光大部分被反射回芯片,由于芯片材料與空氣之間的光折射率差異很大,不能逃逸到空氣中。以GaAs材料和空氣為例,在界面處,芯片全反射的臨界角c約為14,如果環(huán)氧樹脂和芯片,只有4-12%的光子可以逃逸到空氣中使用折射率為1.5。對于橫截面,c約為22.6,這增加了光逃逸率。當(dāng)球形環(huán)氧樹脂和空氣用作界面時,幾乎所有內(nèi)部的光子都可以逃逸到空氣中,并且反射的光子少于4%,因此通過選擇封裝材料的折射率和芯片的界面進(jìn)行封裝,可以提高LED的發(fā)光效率。