CY7C1021CV33-12ZSXET 高性能CMOS靜態(tài)RAM存儲器：

描述：

CY7C1021CV33-12ZSXET：

是一款高性能CMOS靜態(tài)RAM，組織為65,536字×16位。 該器件具有自動斷電功能，可在取消選擇時顯著降低功耗。

規(guī)格：

存儲器類型 易失

存儲器格式 SRAM

技術(shù) SRAM - 異步

存儲容量 1Mb （64K x 16）

存儲器接口 并聯(lián)

寫周期時間 - 字，頁 12ns

訪問時間 12ns

電壓 - 電源 3V ~ 3.6V

工作溫度 -40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝 44-TSOP II

特征：

引腳和功能與CY7C1021CV33兼容

高速

CMOS可實現(xiàn)速度和功率

低有功功率：325 mW

取消選擇時自動斷電

獨立控制高位和低位

采用無鉛和非無鉛44引腳400 mil SOJ，44引腳TSOP II和48引腳FBGA封裝

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