星際金華優(yōu)勢(shì)出售 IGBT 晶體管 STGD8NC60KDT4，貨實(shí)價(jià)優(yōu)！
產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)值：
規(guī)格：
電壓 - 集射極擊穿（大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（大值） 15A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 30A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.75V @ 15V，3A
功率 - 大值 62W
開(kāi)關(guān)能量 55µJ（開(kāi)），85µJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 19nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 17ns/72ns
測(cè)試條件 390V，3A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 23.5ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝 DPAK
特征：
降低電壓降（VCE（sat））
較低的CRES / CIES比（無(wú)交叉?zhèn)鲗?dǎo)敏感性）
非常柔軟的超快恢復(fù)反并聯(lián)二極管
短路耐受時(shí)間為10μs
應(yīng)用：
高頻電機(jī)控制
硬開(kāi)關(guān)和諧振拓?fù)渲械腟MPS和PFC
汽車(chē)司機(jī)
概述：
該IGBT采用*的PowerMESH™工藝，在開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)之間實(shí)現(xiàn)了出色的折衷。
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