NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 單項(xiàng)晶體管：
規(guī)格：
NTMFS4955NT1G：
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 9.7A（Ta），48A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（大值） 6 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（大值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（大值） 10.8nC @ 4.5V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（大值） 1264pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 920mW（Ta），23.2W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼 8-PowerTDFN，5 引線
STP21N65M5：
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 17A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（大值） 190 毫歐 @ 8.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（大值） 50nC @ 10V
Vgs（大值） ±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（大值） 1950pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 125W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
以上型號(hào) NTMFS4955NT1G/STP21N65M5 單項(xiàng)晶體管 由星際金華優(yōu)勢(shì)型號(hào)供應(yīng)，原裝*，價(jià)格實(shí)惠，更多詳細(xì)，請(qǐng)咨詢公司工作人員！
