星際金華優(yōu)勢提供 CY7C1512KV18-300BZXI 同步并聯(lián)易失存儲器 原裝*，*，海量庫存，價格優(yōu)勢！

描述：

是同步流水線突發(fā)SRAM，具有讀端口和寫端口。 讀端口于讀操作，寫端口于寫操作。 數(shù)據(jù)通過寫端口流入SRAM，并通過讀端口流出。

特征：

獨立的獨立讀寫數(shù)據(jù)端口
350 MHz時鐘，用于高帶寬
所有訪問都有2個字的突發(fā)
讀取和寫入端口上的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）接口（以700 MHz傳輸?shù)臄?shù)據(jù)），頻率為350 MHz
兩個輸入時鐘（K和K），用于精確的DDR時序
單個多路復(fù)用地址輸入總線鎖存讀取和寫入端口的地址輸入
單獨的端口選擇深度擴展
同步內(nèi)部自定時寫入
完整數(shù)據(jù)*性，提供新數(shù)據(jù)
提供無鉛和非無鉛封裝
可變驅(qū)動器HSTL輸出緩沖器

規(guī)格：

存儲器類型 易失

存儲器格式 SRAM

技術(shù) SRAM - 同步，QDR II

存儲容量 72Mb （4M x 18）

時鐘頻率 300MHz

寫周期時間 - 字，頁 -

存儲器接口 并聯(lián)

電壓 - 電源 1.7V ~ 1.9V

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 165-LBGA

供應(yīng)商器件封裝 165-FBGA（13x15）

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