Siemens SKD62
Siemens SKD62 AD5422采用6×6 LFCSP封裝，底部提供裸露焊盤。這種情況下，裸露焊盤應(yīng)連接到器件的zui低負(fù)基板以獲得適當(dāng)?shù)臒嵝阅芎碗姎庑阅埽纠惺茿VSS層。熱阻抗值可以在數(shù)據(jù)手冊(cè)上找到，此封裝的額定值為28℃/W。這就明確決定了芯片上每消耗1W功率時(shí)內(nèi)部芯片溫度的升高程度。此數(shù)值需要加到系統(tǒng)環(huán)境溫度中，以決定zui大系統(tǒng)工作條件。
如果考慮到短路條件下的功耗約為0.6W，且此LFCSP封裝在連接裸露焊盤后的熱阻抗為28℃/W，則可計(jì)算出故障條件下芯片溫度將增加16.8℃。當(dāng)然，還需要考慮到因器件靜態(tài)電流而帶來的溫度增加，如AVSS和AVDD電源電流。通過參考數(shù)據(jù)手冊(cè)，可以計(jì)算出這些靜態(tài)電流源的總功耗約為128mW，而這些功率本身可導(dǎo)致芯片溫度升高約3.5℃。因此，采用26V電源供電時(shí)，如果將24mA驅(qū)動(dòng)至短路負(fù)載，則將此3.5℃加上短路條件下的16.8℃可以得到，芯片溫度總共會(huì)上升約20℃。
計(jì)算模塊內(nèi)的zui大容許系統(tǒng)溫度變得非常容易。用器件的zui大結(jié)溫(可直接從數(shù)據(jù)手冊(cè)中獲得)減去內(nèi)部自熱引起的下降即可。通過簡(jiǎn)單的算術(shù)可知，內(nèi)部zui大芯片溫度為125℃。在此基礎(chǔ)上減去20.3℃，即可得出系統(tǒng)或zui大系統(tǒng)環(huán)境溫度為104.7℃。大多數(shù)系統(tǒng)都可以在70℃~80℃的環(huán)境下工作，因此對(duì)于此處示例，設(shè)計(jì)人員就不用再擔(dān)心什么。一個(gè)問題是，某些情況下系統(tǒng)中可能需要電壓更高的電源，具體可能取決于產(chǎn)品所用于的應(yīng)用類型。如果超過40V或45V，則片內(nèi)功耗可增加至接近1W，不過只要遵循上述規(guī)則和指南并確保系統(tǒng)內(nèi)的環(huán)境溫度足夠低，那么器件仍可正常工作。
如上所述，我們能夠添加外部過流器件，使過多電流從外部到達(dá)器件，作用就好像傳輸晶體管，從而保證芯片上的功耗較低。當(dāng)然，此晶體管必須能夠承載適當(dāng)?shù)碾娏鳎唤o系統(tǒng)帶來任何誤差。雖然這肯定是改善IC器件的一種方法，但仍要求所有功率都在模塊內(nèi)損耗。如果考慮到模塊尺寸越來越小，有時(shí)系統(tǒng)內(nèi)的通道數(shù)量可能受限，或者需要減小要驅(qū)動(dòng)的zui大負(fù)載，以保持低功耗。
6ES7322-1HF01-0AA0 開出模塊（8點(diǎn),繼電器,2A）
6ES7322-1HF10-0AA0 開出模塊（8點(diǎn),繼電器,5A，獨(dú)立接點(diǎn)）
6ES7322-1HH01-0AA0 開出模塊(16點(diǎn),繼電器)
6ES7322-5HF00-0AB0 開出模塊（8點(diǎn),繼電器,5A，故障保護(hù)）
6ES7322-1FH00-0AA0 開出模塊（16點(diǎn)，120V/230VAC）
6ES7323-1BH01-0AA0 8點(diǎn)輸入，24VDC；8點(diǎn)輸出，24VDC模塊
6ES7323-1BL00-0AA0 16點(diǎn)輸入，24VDC；16點(diǎn)輸出，24VDC模塊
模擬量模板
6ES7331-7KF02-0AB0 模擬量輸入模塊(8路，多種信號(hào))
6ES7331-7KB02-0AB0 模擬量輸入模塊(2路，多種信號(hào))
6ES7331-7NF00-0AB0 模擬量輸入模塊(8路，15位精度)
6ES7331-7NF10-0AB0 模擬量輸入模塊(8路，15位精度)4通道模式
6ES7331-7HF01-0AB0 模擬量輸入模塊(8路，14位精度，快速)
6ES7331-1KF01-0AB0 模擬量輸入模塊(8路, 13位精度)
6ES7331-7PF01-0AB0 8路模擬量輸入,16位,熱電阻
6ES7331-7PF11-0AB0 8路模擬量輸入,16位,熱電偶
6ES7332-5HD01-0AB0 模擬輸出模塊(4路)
